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IRF7705GPbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-30 ––– ––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.015 –––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
––– ???
??? ???
18 V GS = -10V, I D = -8.0A ?
30 V GS = -4.5V, I D = -6.0A ?
––– ––– -25 V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 70°C
––– ––– -100 V GS = -20V
––– 35 53 I D = -1.0A
––– 270 405 R D = 15 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-1.0 ––– -2.5 V V DS = V GS , I D = -250μA
13 ––– ––– S V DS = -10V, I D = -8.0A
––– ––– -15 V DS = -24V, V GS = 0V
μA
nA
––– ––– 100 V GS = 20V
––– 58 88 I D = -8.0A
––– 10 ––– nC V DS = -15V
––– 9.0 ––– V GS = -10V ?
––– 18 27 V DD = -15V, V GS = -10V ?
ns
––– 128 190 R G = 6.0 ? ?
––– 2774 ––– V GS = 0V
––– 418 ––– pF V DS = -25V
––– 270 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
-1.5
-30
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
36
34
-1.2
54
50
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.5A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -1.5A
di/dt = 100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
www.irf.com
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